삼성전자 최소 회로선폭 512메가 D램 개발

삼성전자는 반도체 상용 제품중 최소 회로선폭인 0.12㎛(100만분 1ｍ)의 공정 기술을 적용한 512메가 D램을 업계 처음으로 개발했다고 20일 발표했다.

삼성전자 메모리 사업부문 황창규 대표이사는 “기존 메모리 제품의 기능을 통합한 첨단 512메가 D램 제품으로 시장을 집중 공략해 나가겠다”고 밝혔다.

회로선폭 0.12㎛는 머리카락 한올에 900개의 가는 선을 그을 수 있는 초미세 가공 기술로 차세대 첨단 가공 기술로 꼽히는 0.10㎛ 반도체 시대를 알리는 신호탄이 될 것이라고 삼성전자는 말했다.

512메가 D램 반도체는 기존의 양산용 제품중 최고 용량인 256M SD램에 비해 2배의 정보 저장 능력을 갖고 있다.

또 데이터 처리 최고속도가 266㎒의 초고속 제품으로 싱크로너스 방식과 DDR방식을 하나의 칩으로 디자인한 제품이라고 삼성전자는 설명했다.

512메가 칩 36개를 탑재한 2기가 메모리 모듈의 경우 신문지 12만8천400장, 단행본 2천560권, 정지 화상 6천400장, 음성 정보 256시간 분량의 정보를 저장할 수 있다.

삼성전자는 이번 제품을 대형 서버업체 등에 올해 하반기부터 공급할 예정이며 2004년에 411억 달러 규모의 시장이 형성될 것으로 보이는 512메가 반도체의 시장을 선점해 나간다는 계획이다./연합